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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT有高輸出功效密度計算公式和聯通寬帶寬下的優質率。同時GaN HEMT的平滑度大多數比GaAs元集成電路芯片的平滑度差。論文提起沒事種簡單的措施步驟來減少GaN HEMT的平滑度。所提起的措施步驟是將元集成電路芯片劃分出與獨立的保持的柵極偏置線電壓串聯的兩個子單無，然后呢對對子單無輸出做好功效搭配。

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