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讓我們報告書一堆個高穩定性的GaN MMIC輸送調小器運作在40MHz到400MHz互相。這是達成80W電磁（100US電磁間距和10%占空比）MMIC配置）輸送輸送（P5dB），40MHz，50W質量為54%約30%的質量在大方面的中心中波段，包括在400MHz時，質量正在逐步變低到30W，質量為22%。40-400MHz頻段的輸送增益值為25dB。這是過網絡帶寬穩定性是施用剪載主機 來達成的。輸送電位差，并施用多樣的網絡帶寬集成運放搭配拓補學。兩大類主機 的基本設置能力并給于搭配集成運放。分指數協議-網絡帶寬調小器，高電壓電流能力，微波通信元器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
編（圖2）。交流電偏置電流和頻射模擬傷害特性特性阻抗本身HIFET全是1.4mm廠家充電的五倍。傳動裝置，尤為是在底頻段。在合適的選定 廠家單園機械的尺寸大小和單園單園機械的比例編，公司能能SEO優化HIFET模擬傷害特性特性阻抗為介于50歐姆，以達成光纖寬帶耐磨性。