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使用的體現了獨立空間柵極偏置把控好的并行計算結晶體管的GaN HEMT調大器的平滑促進

上架期限：2018-05-04 13:53:07     手機瀏覽：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：便用擁有人格獨立柵極偏置掌控的電容串聯結晶體管的GaN HEMT增加器的曲線加強。 GaN HEMT包括較高的打出電電機功率密度計算和較寬的傳輸速率學習效率。其實，GaN HEMT的線形先進典型地比GaAs元件的線形更差。從文中說出一種非常簡單的步驟來提高了GaN HEMT的線形度。所說出的步驟是將元件劃分為與獨有把控的柵極偏置相電壓并接的數個子象限，而后將電電機功率合并且還為子象限打出。辦演縮放器..
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