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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬為1.25mm。它是在瓷磚BI芯片打包二極管封裝，程序運行達10千兆赫。BI系列作品采用特俗開發的瓷磚芯片打包二極管封裝，包括彎折（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝方式英文。芯片打包二極管封裝底的法蘭片也做為交流電一定接地保護、頻射一定接地保護和熱路。這個分是合適RoHS標準規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
效果散熱性能的下方

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機