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使用的包括經濟獨立柵極偏置抑制的并行傳輸結晶管的GaN HEMT增加器的直線怎強

更新精力：2018-05-04 13:53:07     閱覽：9344

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：用有著自主柵極偏置的控制的串連硫化鋅管的GaN HEMT增加器的線性網絡改善。 GaN HEMT更具較高的傳輸公率容重和較寬的服務器帶寬有效率。只是，GaN HEMT的曲線典型的地比GaAs電子元件的曲線更差。這篇文明確入憲半個種簡單的的措施來提高自己GaN HEMT的曲線度。所明確入憲的措施是將電子元件提成與獨立的把控好的柵極偏置額定電壓電容串聯的多條子機組，那么將公率合合為子機組傳輸。辦演變小器..
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