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描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R是一個個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高寬比為0.5mm。它在瓷質廠家封裝形式類型中運作會達12 GHz。BI類別施用層次性設汁的瓷質廠家封裝形式類型，有著曲折（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝方案。封裝形式類型上端的法蘭部與此同時最為整流一定接地裝置、微波射頻一定接地裝置和熱路。這不分是達到RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
有效地導熱的底邊

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機