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GTRB246608FC-V1是CREE的一種500瓦（P4dB）的SiC上GaN高光電挪動率結晶管（HEMT），強院于多規格蜂窩狀工作效率調小器用途需求分析設計制作。GTRB246608FC-V1兼具效應高率和無軸環的熱減弱裝封。

產品設備要求

闡釋：高熱效率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最低頻段（MHz）：2400

增加收益（dB）：15.7

芯片封裝等級分類：Earless

結構特征

明顯單脈沖CW耐磨性，2400 MHz，48 V，10μs脈寬次數，10%占空比，組裝工作輸出

P4dB=600 W時的傷害耗油率

P4dB=60%時的質量

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