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CHA5014-99F極力打造于X頻譜運用開放的片式二級中等偏上工作電壓放縮器。CHA5014-99F主要是用作都要對的溫度弱神經敏感的模擬輸出瓦數的平臺。

CHA5014-99F應用GaInP HBT工藝流程新技術，采用橫穿基鋼板的通孔和和氣氣橋。氮無機化合物層維護納米線管和無源元器件封裝。

CHA5014-99F采用了差異化的的掌握二次回路來實現氣溫下的工作輸出最大功率。

具體功能

30dBm飽滿模擬輸出效率

溫差補賞轉換額定功率

幾種偏置玩法：

-TTL端口數子設定

-全力于偏置電路原理的模以有效控制

靜止偏置點：8.5V@230mA

芯片封裝長寬比：2.87 x 1.37 x 0.1mm3

西安市立維創展科技開發限制品牌許可經銷商UMS徽波，涉及位置型號的UMS的成品作為創新型的外盤的成品存貨，歡迎會網絡咨詢。