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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT擁有高內容輸出精度最大公率高密度和帶寬寬下的有的效率率。而且GaN HEMT的線形度平常比GaAs元件的線形度差。我們強調新一種簡簡單單的具體技巧來糾正GaN HEMT的線形度。所強調的具體技巧是將元件平均分配與獨力控住的柵極偏置線電壓串并聯的幾個子象限，接下來對仗象限內容輸出精度完成最大公率組裝。

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