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人們評估報告打了個個功能卓越指標的GaN MMIC辦公吸收率放縮器辦公在40MHz到400MHz直接。這類做到80W輸入智能（100US輸入智能總寬和10%占空比）MMIC再循環）輸送辦公吸收率（P5dB），40MHz，50W吸收率為54%一般30%的吸收率在大一些的之間股票波段，并且 在400MHz時，吸收率慢慢減輕到30W，吸收率為22%。40-400MHz頻段的辦公吸收率增加收益為25dB。這類寬度帶便用性能指標是能夠 拼接的主設備來做到的。輸送抗阻，并便用獨具特色的光纖寬帶網絡用電線路輸入拓撲關系學。兩者的主設備的詳實設計的概念技能水平并拿到輸入用電線路。指標免責條款-光纖寬帶網絡放縮器，高的電壓技能水平，微波通信元器件封裝，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
產品（圖2）。直流相電壓偏置相電壓和rf射頻輸入精度抗阻一些HIFET有的是1.4mm方電瓶的成倍。裝制，越來越是在高頻段。就能夠通過適量的確定方單元主生產設備的長寬和單元單元主生產設備的數量統計產品，自己就能夠改善HIFET輸入精度抗阻為臨近50歐姆，以建立光纖寬帶性。