發布的周期:2019-02-22 10:22:17 看:1820
Wolfspeed的CGHV96050F2是增碳硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高智能遷入率結晶管(HEMT)。與的技術差距,在這種GaN內部結構相配(IM)FET兼具卓越的馬力扣減生產率。與硅或砷化鎵相較于,GaN具非常好的耐熱性,分為高的穿透電流,高的飽和點智能漂移強度和高的傳熱性率。與GaAs晶胞管好于,GaN HEMT還提供數據更強的工率相對密度和更寬的上行寬帶。該IM FET使用合金金屬/陶瓷圖片卡箍打包封裝,兼具最合適的電氣開關和性溫能。
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CREE
CGHV96050F2
1周
300
特征
閥值傷害工率 | 50W | |
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適用 | L光波/ S光波/ X光波/ C光波/ Ku光波 | |
非常典型的馬力擴展能力PAE | 55% | |
先進典型電功率(PSAT) | 80瓦 | |
輸出功率增益控制 | 10噪音分貝 | |
做工作輸出功率 | 40 V | |
規律 | 7.9 - 9.6 GHz | |
包裝設計結構類型 | 輪緣 | |
企業內部符合 | 是 - 50Ω |
示意圖