發布新聞用時:2019-02-22 10:24:49 搜索:2722
Wolfspeed的CGHV96100F2是增碳硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子技術轉遷率多晶體管(HEMT)。與別技巧優于,種GaN內壁匹配好(IM)FET含有不錯的電率額外有效率。與硅或砷化鎵較之,GaN體現了非常好的的性能指標,收錄高些的熱擊穿電阻值,高些的達到飽和狀態網絡漂移效率和高些的導熱性率。與GaAs氯化鈉晶體管比起,GaN HEMT還給出大些的工率硬度和更寬的服務器帶寬。該IM FET選用復合/陶瓷圖片法蘭片封裝形式,具更好的電力電氣和性溫能。
特征
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品牌
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CREE
CGHV96100F2
1周
320
最高值傳輸耗油率 | 100W | |
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適用 | L波長/ S波長/ X波長/ C波長/ Ku波長 | |
舉例的耗油率附帶工作效率PAE | 45% | |
典范最大功率(PSAT) | 145瓦 | |
工作效率增益值 | 10聲貝 | |
工作上端電壓 | 40 V | |
率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
紙盒包裝類型、 | 輪緣 | |
室內配比 | 是 - 50Ω |
示意圖