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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低放和回退衰減巴倫低壓變壓器，由不動態動態穩定平衡點繞阻和中心的抽頭動態動態穩定平衡點繞阻組成的動態動態穩定平衡點環，雙線傳遞數據熱效率，兩個人大方向配對。North Hills巴倫斯精細建設項目低放和回波衰減。得天獨厚的動態動態穩定平衡點是利用自有對應的構成來保持的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超寬頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫給出了測量最簡單的方法線路性狀至1.2GHz的十分簡單和之間的最簡單的方法。超寬頻巴倫適配任意定位的阻抗匹配，因此為低加入和回波材料耗費完成了五金機械設計的。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，一般來說應用場景1千赫茲- 125兆赫，由不均衡性電機繞線和學校抽頭均衡性電機繞線根據的均衡性環，縱向推送熱效率，好幾個放向適應。北山巴倫斯精密模具工業低進到這一領域和回波損耗率。優質的均衡性是采用本質相交的構造來實現目標的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L股票波段進行進行高壓砷化鎵場作用單晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是進行進行高壓、高瓦數、高線形和寬帶網絡用途的區域配對專利申請機械設備系統配置。該配件的總配件周邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高瓦數徽波用途而設計方案的，事業頻帶寬度高達hg3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S股票波段高增加收益高電輸出電機功率砷化鎵場調節作用單晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是的部分相配的發明專利設配裝，用作高電阻值、高電輸出電機功率和聯通寬帶用途。該器材的總器材外邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電輸出電機功率紅外光用途而構思的，事業頻點高至6GHz。BI編選擇另外一種異常構思的陶瓷制品封裝形式，都具有可以彎曲的或直線行駛的引線裝習慣。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L頻譜砷化鎵場負效應結晶管高相電壓高電功效和帶寬運用AM010MH2-BI-R，該元配件的總元配件外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高電功效微波加熱運用而構思的，的工作幀率高達模型6GHz。BI國產用到一個特殊化構思的陶瓷制品打包封裝，兼備內彎或漸近線的引線裝置原則。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低環境躁聲變大器存儲芯片是環境躁聲指數公式很低的變大器。基本用來各個無限電吸收機的中頻或中頻外置變大器，和高靈活度電子儀器測探儀器的變大電源電路。在變大微亮衛星預警的場所，，變大器個人的環境躁聲對衛星預警的騷擾也許管得嚴重，所以說可能減小或增大此類環境躁聲，以提供輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C股票波段PCS基站天線國際航空電子裝備電力AM005MH2-BI-R。HIFET是部件切換的知識產權裝備增加，用到高電阻、高工率和帶寬運用。該器材的總器材外場為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高工率微波加熱運用而設計方案的，操作聲音頻率超過6 GHz。它也是更廣工率器材的比較好win7驅動。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S波長頻射砷化鎵場負效應電熱效率管AM300MX-CU-R，這十的一部分的總鑄鐵閘門屏幕寬度匹配為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電熱效率紅外光利用而規劃的，做工作速率高達模型6GHz。Cu系列的主要包括本身唯一性規劃的瓷器封口形式，具備著懸垂的引線和凸緣的裝手段。封口形式邊側的活套法蘭也看做交流電的地線、頻射的地線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高電率徽波徽波rf射頻多晶體管AM200MX-CU-R，這幾一些的總攔污柵高度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高電率徽波軟件應用而設定的，本職工作速度敢達6GHz。Cu系列產品一種比較特殊設定的工業陶瓷打包封裝，有著平行線式引線和凸緣連接式。打包封裝最下面的法蘭片時候做直流電的一定接地、徽波rf射頻的一定接地和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場作用電機馬力管AM150MX-CU-R ，這一部電影分的總柵極長度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高電機馬力徽波廣泛應用而來設計構思的，工作中率達6GHz。Cu一系列是一種種特異來設計構思的工業陶瓷打包封裝，都具有虛線式引線和凸緣安裝程序式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L中股票波段S中股票波段大最輸出電機功率砷化鎵最輸出電機功率場相應氯化鈉晶體管AM100MX-CU-R，這局部的總柵極凈寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高最輸出電機功率徽波應用而規劃的，操作幀率高達模型6GHz。Cu產品就是種特殊的規劃的陶瓷制品芯片裝封，擁有垂線式引線和凸緣安裝使用式。芯片裝封下方的卡箍同時為交流電的的接地、rf射頻的的接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高耗油率徽波應該用砷化鎵MESFET元件AM072MX-CU-R，這部劇分有塊個全方面的的研究探討7.2mm門的橫向。在AM072MX-CU-R是及時設計的概念構思的用在高耗油率徽波應該用，控制到6GHz。的研究探討銅國產的圖片視頻，是在一種及時設計的概念構思的陶瓷圖片包裝途徑與直導和Cu / W的蓋在一種下拉的裝途徑。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 Lk線Sk線高公率紅外光運用裝修設計rf射頻硫化鋅管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C頻譜S頻譜微波通信射頻多晶體管AM036MX-QG-R，這一部位分的總柵極長寬為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高馬力微波通信采用而設計的的，本職工作頻點獨角獸高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L中波長S中波長頻射單晶體管擴大器AM024MX-QG-R ，這1方面的總柵極參數為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高電率微波rf射頻選用而開發的，運行頻段高達到6GHz。QG編是一個個材料裝封，因此引腳變形的表面層布置特色的PC板。裝封的下端一起身為直流變壓器的接地保護、頻射的接地保護和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 Sk線Pk線單晶體管AM012MX-QG-R，這那地方的總柵極尺寸為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高輸出微波rf射頻選用而設計的，作業概率高達mg6GHz。QG系類有的是個朔膠二極管芯片封裝，大部分引腳拉伸的單單從表面配置調性的PC板。二極管芯片封裝的下面還有所作為電流跨接極、rf射頻跨接極和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L頻譜S頻譜rf微波射頻晶狀體管AM006MX-QG-R，這一步分的總柵極長寬為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高輸出功率微波加熱選用而構思的，任務頻繁 達到了6GHz。QG類型就是個朔料打包封裝，各種引腳變形的表層裝置調性的PC板。打包封裝的左下角另外用作直流電壓等電位連接、rf微波射頻等電位連接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段微波射頻氯化鈉晶體管調小器AM005WN-00-R，其總柵極大小為0.5mm。這便是這個裸模，就會程序運行到18千兆赫。它就會給出經典的趨于穩定工作電壓為33.4 dBm。它要用于低環境噪聲、高動態的超范圍的發送到機和高工作電壓釋放機的win7伺服驅動器。這個分是遵循RoHS規則的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X光波Ku光波微波射頻結晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 Sk線Ck線Xk線Kuk線Kk線地域集中式低背景噪音污染增加器存儲芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，Kk線）GaN低背景噪音污染增加器MMIC，。該帶寬元器件封裝非常的最合適必須低背景噪音污染數值使用性能和高鍵入電功率生存游戲下載性能的應運。CMD290提供數據12.5 dB的增益控制，響應的背景噪音污染數值為2.3 dB，13 GHz時的導出1 dB縮小點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低燥聲變成器CMD163攻沙K光波低燥聲變成器心片，都是款高動態圖比率GaAs MMIC低燥聲變成器，無比適用人群于攻沙，三維空間和無線通信整體，至少小長寬和高非線性度是根本制定標準要求。該功率器件爭對21 GHz來進行了改善，可出具不低于24 dB的增益值，此類的打出1 dB壓縮成點為+19 dBm，燥聲公式為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C光波VSATrf射頻單晶體管AM025WN-00-R，其總柵極大小為2.5mm（兩個人1.25mm的FET串聯）。真是一些裸模，應該工作到15千兆赫。它應該打造非常典型的達到飽和狀態電功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X中波長Ku中波長頻射晶狀體管AM100WN-00-R，其總柵極長度為10mm（8個1.25mm的FET串并聯）。這只是1個裸模，是可以執行到15千兆赫。它是可以出具先進典型的呈現飽和狀態功效為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X光波Ku光波rf射頻晶狀體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X股票股票波段rf微波頻射晶胞管C股票股票波段rf微波頻射晶胞管AM005WN-BI-R，其總柵極尺寸為0.5mm。它在衛浴工業陶瓷封口中正常運行相當于12 GHz。BI型號適用異常結構設計的衛浴工業陶瓷封口，兼備可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的裝有措施。封口側面的法蘭片直接做電流接地系統裝置、rf微波頻射接地系統裝置和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X波長微波頻射尖晶石管AM012WN-BI-R，就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為1.25mm。它是在衛浴衛浴陶瓷BI芯片封裝類型，工作自由高達10千兆赫。BI品類使用的特別構思的衛浴衛浴陶瓷芯片封裝類型，具彎度（Bi-G）或直（BI）引線的安轉途徑。芯片封裝類型低部的活套法蘭并且做直流變壓器等電位連接保護、微波頻射等電位連接保護和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C頻譜微波微波微波射頻結氯化鈉晶體管S頻譜微波微波微波射頻結氯化鈉晶體管AM025WN-BI-R，就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為2.5mm。它在瓷器圖片二極管打包芯片封裝中程序運行可達到8 GHz。BI系列作品應用特有構思的瓷器圖片二極管打包芯片封裝，包括彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的使用措施。二極管打包芯片封裝頂端的卡箍并且作為一個整流地線、微波微波微波射頻地線和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 Pk線Lk線高任務電壓微波加熱加熱應運AM100WN-CU-R，這樣地方的總柵極長度為10分米。AM100WN-CU-R是幫忙為高任務電壓微波加熱加熱應運的設計構思的，任務頻繁會達6GHz。CU系列作品是幫忙的設計構思的衛浴陶瓷二極管打包封裝，有直引線和插裝式活套法蘭盤。二極管打包封裝上端的活套法蘭盤此外充當整流地線、rf射頻地線和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 Sk線Ck線AM050WN-CU-R瓷質打包打包封裝形式GaN工率HEMT DC-6GHz，這點個部分的總柵極：寬度是5mm。AM050WN-CU-R是為高工率微波微波射頻APP而開發制作的，運作次數達到6GHz。CU編是專開發制作的瓷質打包打包封裝形式，具直引線和正式出臺式法蘭盤盤。打包打包封裝形式側面的法蘭盤盤還充當直流電地線系統、微波射頻地線系統和熱路。