L頻譜油田砷化鎵場滯后效應納米線管AM010MH4-BI-R
公布的時期:2018-11-05 15:33:48 訪問 :1760
描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙一系GaAs HIFET的是一這有些。HiFET是進行高壓、高馬力、高非線性和光纖寬帶技術應用軟件的這有些適合發明專利的設備配置單。該配件的總配件外面為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高馬力微波通信技術應用軟件而開發的,工作中聲音頻率超過3GHz。BI一系選用另一種特別開發的陶瓷廠家二極管芯片封裝,具備著回彎或漸漸的引線和凸緣的安裝習慣。二極管芯片封裝最下面的蝶閥法蘭時候是 電流接地極極、微波射頻接地極極和熱路。這HiFET是完全符合RoHS標淮的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM010MH4-BI-R
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1周
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50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
在行之有效熱量散發的陶瓷廠家二極管封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信