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Qorvo的TGA2573-2不是款網絡帶寬，高輸出功率GaN HEMT變大器，采用了Qorvo生產方式的0.25-um GaN on SiC生產工藝制造廠。作業頻點范圍內為2至18 GHz，在30 V的漏極偏壓下，趨于穩定導出公率為40 dBm，PAE為20％，信息增益控制為10 dB。

 TGA2573-2完整適配50歐姆，并在兩位RF接口上集變為DC堵賽電阻，比較是和支持系統服務業和國防科技關聯使用。

TGA2573-2是100％DC和晶圓上的RF檢驗，以確認不符合安全性能規定。無鉛且復合RoHS規范。

注意性能

• 幀率領域：2至18 GHz
• PSAT：VD = 30 V時為40 dBm
• PAE：關鍵的20％
• 小網絡信號增益控制：10 dB
• 回波衰減：15 dB
• 偏置：VD = 30 V，IDQ = 500 mA，基本特征值VG = 2.3 V.
• 水平：在SiC上適用0.25-um GaN
• 尺碼：2.55 x 5.54 x 0.1 mm

典型案例廣泛應用