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?再次代650 V裸片SiC MOSFET

發布消息耗時：2025-01-03 16:57:39     查詢：630

行行業超世界級導通阻值和打開自然損耗，就能完成最適穩定性和電功率容重性能參數。

Wolfspeed依據第三個代650 V SiC MOSFET多了其無定形碳硅（SiC）科技上的主體影響。在更全部的用電公司控制系統中提供體態更小、總重更輕、更強效的用電公司轉換。650 V SiC MOSFET是性能參數菁英化學工業外接電源、服務性器/電信網電腦網絡電、新生物質能電動三輪車（EV）專研部件、儲蓄能量主設備、應對開關電源（UPS）和鋰電池處理系統的等職能的極佳決定。

顯著特點

恒溫區域環境的低導通電容

低寄生菌電容器

具備條件越來越低反相回到的高效化肖特基二極管

持繼室溫把控（Tj=175°C）

MOSFET.png

長處

用調整面板開關和傳送數據耗損加快產品質量

實現了高面板開關工作頻率超控

的提升設備級馬力溶解度參數表

減少傳動裝置讓；載重量；和蒸發讓

類型應用

化工24v電源

服務管理器/聯通線上

新綠色能源電動車新能源充電樁器

儲電機械（ESS）

突發電壓（UPS）

電池板治理整體（BMS）

CREE科銳于2017年離心分離出徽波rf射頻項目Wolfspeed，以移動寬帶、大公率增加器新產品為標志性。

廣州 市立維創展新材料技術是CREE的供應商商，享有CREE微波射頻功率器件特點供貨校園營銷渠道校園營銷渠道，銀行信用提高真品真品。

*要素尺寸需注冊韓國出口商批準。淘寶手機端分析較多型號規格，感謝管理咨詢立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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