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900 V分立增碳硅MOSFET CREE

發表時間段：2024-12-17 11:21:28     預覽：672

CREE加密了其在氫氟酸處理硅（SiC）枝術中的主導性實力地位，低電感分立芯片封裝擁有寬沿面和漏極與源極兩者之間的接縫處遠距離（~8mm）。900 V分立氧化硅MOSFET智能化運行新的MOSFET基帶芯片高頻率性，且出具操作于高嚴重污染氛圍的超量電力設備隔絕。獨自的開爾文源管腳少了輸出功率電感；然而旋轉開關耗率少了30%。設汁師能能借力從硅基轉向系統硅基來降元器件封裝比例；用加強轉為開關功效，能能用三電平拓撲關系關系轉為成會高效的兩電平拓撲關系關系。

特征英文

在整體風格做工作室內溫度范疇內，低額定電壓是900V Vbr

帶驅動安裝源的低阻抗匹配二極管封裝

高傳導電流，低RDS（重置）

低交叉修復（Qrr）的快速本征肖特基二極管

有助于于并接，用非常簡單

MOSFET.png

競爭優勢

可以通過限制電源開關和傳達著自然損耗提高軟件率

實行高電源開關頻帶寬度操控性

不斷提高系統級耗油率容重

有效降低體系整體規模；總重量；和冷確標準

無法新的硬開關按鈕拓撲關系（Totem Pole PFC）

非常典型適用

減速機把握系統性

新綠色能源充值樁系統

應急救援電（UPS）

容量電池檢查機系統

新生物質能智能車全速專研平臺

車載多媒體蓄電器設備

傳動鏈液壓裝置

不銹鋼焊接藝

長沙市立維創展科學局限公司的軟件授權經銷商CREE微波射頻集成電路芯片，倘若需要購CREE廠品，請點一側人工服務關系我們大家！！！

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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