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CMPA0060002D是一種種有帶氮化鎵（GaN）高光電子搬遷率多晶體管（HEMT）的單面微波射頻整合電路設計（MMIC）。與硅或砷化鎵好于較，GaN享有更多表現出色的特性，涵蓋更強些的熱擊穿場強、更強些的呈現飽和狀態光電漂移進程與更強些的導電指數公式。與Si和GaAs納米線管差距較，GaN HEMT還出示越高的輸出功率溶解度和更寬的上行寬帶。CMPA0060002D的使用分布不均式（導波）變大器規劃要點，要能在更小的被占占地內達到極寬的網絡帶寬。

特證

?17 dB小數字信號收獲值

?2 W基本特征PSAT

?額定值額定功率超過28V

?高擊穿電壓場強

?高熱度適用

?尺寸規格0.169 x 0.066 x 0.0044英寸

軟件應用

?超長帶圖像運放電路

?電信光纖線驅動下載器

?檢查機器設備

?EMC變大器伺服控制器器

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