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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高電子設備轉化率多晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵比起較，GaN遵循優秀的性能參數；包括較高的電壓擊穿場強；是處于飽和狀態電子無線偏斜進程較高；非常較高的導熱性。與Si和GaAs硫化鋅管差距較，CGHV60170D提高較高的瓦數容重和更寬的頻寬凈寬。

成品年紀

簡述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT電源芯片

最高頻段（MHz）：0

較高頻繁 （MHz）：6000

增益值值（dB）：17

打包封裝品目：Die

顯著特點

65%典例工率疊加速率

170 W典型案例PSAT

50V遠程控制

高熱擊穿場強

頻段位置高至6 GHz

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