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WS1A2639-V1-R3K是CREE的一臺非中心對稱多赫蒂耗油率調大器模快（PAM），將GaN on SiC的技術技術運用和如今的化的切換和偏置輸出功率線上一體化在有中高端散熱管系統性的四層層壓材料上。WS1A2639-V1-R3K頻段位置在2496 MHz至2690 MHz。然而操作最底50V的開關電源電流；對數正態分布打印輸出電功率標準為6至8 W，非常高值指數公式減低，數字化預失真的是LTE和5G NR統計資料表現，瞬時帶寬的配置高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝形式中。

成品規格為

闡明：38.5dBmGaN on SiC輸出擴大器包塊；2496-2690MHz

最少速度（MHz）：2496

最好工作頻率（MHz）：2690

P3dB工作輸出瓦數（W）：50

增加收益值（dB）：16.5

熱效率（%）：57

額定功率電阻（V）：48

芯片封裝專業類別：從表面貼裝

封口：封口分立氯化鈉晶體管

技藝采用：SiC上的GaN

優點

GaN基SiC新技術用途

從電子元件更替作為主料導和更高值子增加器兼具柵極偏置電流值開關電源

智能家居控制化諧波終端門店

無鉛并做到RoHS原則

推送的帶動裝置是WSGPA01

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