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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子廠變遷率晶狀體管（HEMT），APP在多細則蜂窩狀效率變小器技巧APP。GTRB226002FC-V1遵循極有效率化和無軸環的熱促進封裝樣式樣式。

車輛的規格

談談：SiC HEMT上的高工作效率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

比較低頻繁（MHz）：2110

最多頻率（MHz）：2200

P3dB讀取電率（W）：450

增益值值（dB）：15

學習效率（%）：60

特征英文

典型性的電磁CW效能：10μs脈沖造成的間距，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty組合夾具利用率=65%

收獲值=14dB

P3dB=450W時的讀取耗油率

女模特對模型1B級（基于ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱導率

無鉛并需要滿足RoHS標準的

GaN基SiC HEMT技術工藝

廣州市市立維創展科枝有限大公司大公司授權使用銷售CREE微波加熱元件，若是必須要 購CREE好產品，請單擊右邊人工服務取得聯系我門！！！