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GTRB204402FC/1是CREE的四款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高光電子移動率硫化鋅管（HEMT），堅持創新驅動于多標準化蜂窩狀公率調小器技術設備廣泛應用需求分析裝修設計。GTRB204402FC有著有成功率和無軸環的熱促進打包封裝。

物品樣式

講述：SiC HEMT上的高工作效率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最小幀率（MHz）：1930

最多頻繁 （MHz）：2020

P3dB的輸出工作效率（W）：350

增加收益值（dB）：16.3

極有速率率（%）：58

額定功率交流電壓（V）：48

裝封類目：Earless

封口：封口分立硫化鋅管

枝術：SiC上的GaN

特性

其最典型的的脈沖信號CW安全性能，2020 MHz，48 V，10μs電磁高寬比，10%pwm占空比，組合起來輸出

P3dB=350W時的打出電功率

P3dB時的高質量率=65%

摸特建模方法1C級（利用ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并充分滿足RoHS規則

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