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PXAE263708NB-V1是CREE的三款400瓦（P3dB）LDMOS FET，運用于2620至2690 MHz頻段的多規則蜂窩狀額定功率圖像運放電路技巧運用。分為讀取傷害配適；高增加收益、具備無突緣的熱強化裝封結構類型。PXAE263708NB-V1適用特色的LDMOS工序技術水平；PXAE263708NB-V1有著積極的熱固相關性和出色的安全管理耐腐蝕性。

新產品規格為

闡明：高電率RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

低點速率（MHz）：2620

最高的人工作頻率（MHz）：2690

P3dB轉換最大功率（W）：400

增加收益（dB）：13.5

率（%）：47

額定工作電壓（V）：28

封裝類型行業類型：可塑料

芯片芯片封裝：芯片芯片封裝表現形式分立尖晶石管

技術應用：LDMOS

特點

移動寬帶內層錄入輸出兼容

非相交性Doherty設汁：主P1dB=140W主要表現值；最高的人值P1dB=260 W具代表性值

明顯的電脈沖CW性能特點；2655MHz；28v；多爾蒂構型；AB類：P1dB=200W時的工作輸出公率；P3dB=400W時的所在工作功率；學習效率=49%（POUT=57 W平均值）；增益控制=15 dB（POUT=57 W對數正態分布）

要能處里32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）內容輸出電功率

整合化ESD護理

無鉛并能夠滿足RoHS標準的

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