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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高輸出RF GaN放小器，運用于多條件蜂窩狀工作功率放小器技術運用。GTRA262802FC掌握搜索兼容、高質量率和無軸環熱提升封裝形式的性能特點。

型號規格參數表

論述：SiC HEMT的高耗油率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

平均平率（MHz）：2490

很高聲音頻率（MHz）：2690

P3dB內容輸出耗油率（W）：250

收獲值（dB）：14

高效率（%）：54

額定容量電流值（V）：48

裝封類型、：Earless

二極管封裝類型：二極管封裝類型分立尖晶石管

工藝應用：SiC的GaN

特性

?GaN-on-SiC HEMT技藝采用

?填寫適應

?類型的激光脈沖CW性能參數，2605 MHz，48 V，組合構成打出，16μs激光脈沖屏幕寬度匹配，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸入輸出公率

-能力=62%

-增益控制值=14.4 dB

?一同在48 V、38 W（CW）傳輸耗油率下操作使用10:1 VSWR

?模特兒建模方法1A級（會按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱系數

?無鉛并做到RoHS條件

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