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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

的特點GaN基SiC HEMT技術水平單進入脈沖激光CW特性：2155 MHz，48 V，40μs進入脈沖激光：寬度，10%pwm占空比，組合進入讀取傳輸額定功率@P4dB=630 WP4dB=68%時的錯誤率需要滿足RoHS規范規范化建設企業產品型號規格介紹英文：熱增進GaN變小器630 W，48 V，2110-2200 MHz最大頻段（MHz）：2200電壓降電壓降（V）：48PSAT Watt（W）：85增益控制（dB）：16.5封裝形式：TO288-8L山東市立維創展現代科技比較有限廠家管理權限經售CREE微波加熱元器件封裝，如果必須 購CREE護膚品，請點擊量右邊客服中心連接自己！！！