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　　Skyworks 的 ATN3580-03 型號一定衰減器基帶電子器件用到高內阻率硅基帶電子器件上的pe膜內阻器技術水平，提供數據明確的衰減、高崎嶇不平度和多達 40 GHz 的優異回波損耗費性能方面。　　重要的特點：　　透氣膜方法：在高電阻值器率硅整合電路芯片上整合透氣膜電阻值器器，給予很好的輸出正確處理程度。　　穩定 TEE 型式：利用穩定的 TEE 阻值型式確保安全生產聯通寬帶寬功能。　　DC 衰減：所有衰減器單片機芯片都選定了直流電壓(DC)衰減。　　頻次空間：衰減器設計構思考慮從 0.1 GHz 到 40 GHz 的頻次空間內的特性請求。　　技術性產品規格：　　標稱衰減：出具 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減頁面設置。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減白皙度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波材料耗費：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波耗率：以上 16 dB，以至 40 GHz。　　公率整理：高達獨角獸 1 W 的重復波(CW)公率整理功能。　　采用好處：　　高頻率功能：制定需要滿足高達模型 40 GHz 的頻帶寬度規定要求，符合于高頻技術應用。　　高回波損耗率：保持訊號的高貨真無線傳輸。　　精密度衰減：帶來精密度的衰減值和容差，需要精密度控住表現程度的需要。　　耐操性：透氣膜硅電子器件組成堅硬耐操，是和短期平衡操作。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40