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　　CREE CGH35060P2是一款專為高效率設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力，特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進行脈沖放大器應用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝，確保了其在特定應用中的可靠性和穩定性。

　　主要特征：

　　操作使用平率范圍內：3.3至3.6 GHz　　峰峰值電功率性能：60W　　小衛星信號增益值：12 dB　　在8瓦輸入時的誤差度向量藝術(EVM)：< 2.0%　　在8瓦導出時的排水道利用率：25%　　技術應用：WiMAX放置連通(802.16-2004 OFDM)和WiMAX聯通連通(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　配件上的標碼：CGH35060P2　　描繪：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT　　比較小頻點：3100 MHz　　更大率：3500 MHz　　谷值輸送馬力：60W　　增益值：12.0 dB　　效果：60%　　本職工作電流：28V　　封裝類型的方式：分立多晶體管，蝶閥法蘭、丸　　科技：GaN-on-SiC(炭化硅基氮化鎵)　　CGH35060P2尖晶石管以其高有效率的率和適用性于低頻基本操作的的特點，在手機無線通迅和預警雷達軟件等高耐熱性軟件中表現表現出色。其氮化鎵技術水平提供數據了更為重要以往硅基尖晶石管的耐熱性，很大是在高無刺激進行高壓區域下。

杭州市立維創展科技發展是CREE的經銷處商，獲得CREE徽波器材優質交貨渠道方式，并長久的庫存積壓期貨，以便中國人市場上業務需求。