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　　CMPA5585030D是CREE一款先進的氮化鎵MMIC功率放大器，具有多項卓越特性，適合用于多種應用場合。

　　首先，這款MMIC采用了氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)技術。與傳統的硅(Si)和砷化鎵(GaAs)材料相比，氮化鎵HEMT具有以下優勢：

　　1. 高穿透電流電流線電壓：氮化鎵也會頂住高的電流電流線電壓，能讓電路板構思者會在高的電流電流線電壓下安全性運轉，而且的提升公率讀取。　　2. 高達到飽和狀態電子器材漂移訪問速度：這會讓氮化鎵結晶管在低工作頻率下使用性能可薦，以求最合適用在移動寬帶用途。　　3. 高傳熱性性：氮化鎵的傳熱性性好，利于在效率圖像放大器電路上班時散熱性能，上升牢靠性。

　　氮化鎵HEMT還提供了更高的功率密度和更寬的帶寬，這使得CMPA5585030D能夠實現非常寬的帶寬，并且具有高功率輸出。具體特性如下：

　　- 30dB小4g網絡信號增益控制：證明該變大器在小4g網絡信號app下性好的。　　- 50瓦主要PSAT(瓦數飽和)：表明著該放小器可不可以在50瓦的瓦數下穩定的工作的。　　- 崗位相電阻自由高達28V：這為裝修設計的師提高了更多的相電阻裝修設計的空間。

　　在應用方面，CMPA5585030D由于其高性能特點，非常適合用于：

　　- 雙向移動電安全可靠：氮化鎵的高最大功率和高質量率相當適用于長多遠移動電安全可靠。　　- 通訊網機器：在手機無線線上和衛星訊號通訊網軟件系統中，這車工作電壓調大器會展示 動態平衡的訊號調大。　　- 測驗議器：在高耐熱性測驗和測試生產設備中，要高平穩性和寬頻段的擴大器，CMPA5585030D達到這一些意愿。　　- 渦流兼容圖像功率放大器驅動安裝器：用做保持電子廠機在渦流場景中正常的的工作，而受到要素。　　于此，該MMIC的長度相當緊湊型(0.142 x 0.188 x 0.0044英寸)，易于集成系統到發展空間限制的應該用中，一同溫度操控學習能力也確定了其在嚴謹的環境下的可信性。

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