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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的最主要的特殊性以及：　　- 頻繁位置：DC至5GHz　　- 傷害工作耗油率(P3dB)：在2.2GHz幾率下，傷害工作耗油率相當于49W。　　- 直線增益值值：在2.2GHz次數下，典型示范增益值值為22.3dB。　　- 先進典型PAE3dB：在2.2GHz規律下，能力萬代高達71.5%。　　- 事情交流電壓：48V。　　- 低傳熱系數裝封：在高電率作業時合理熱量散發，恢復元件的穩定義性和年限。　　- 可以支持連續性波(CW)和激光脈沖任務機制　　QPD0030能否使用于Doherty體系結構中，很大非常適合做小行蜂窩、微蜂窩和有源無線構思的移動信號塔效率放縮器的末尾級，也能否代替微蜂窩移動信號塔效率放縮器的能夠器。該器材利用了領域標準的的4x3mm表面上貼裝QFN裝封，能夠融合到現階段的頻射構思構思中。

長沙市立維創展新材料技術享用保持穩定的要貨方法，優劣勢打造Qorvo陶瓷制品芯片封裝IC和裸集成電路芯片食品，并過量具有外盤庫存商品，熱烈歡迎了解。