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HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合體器Electro-Photonics

上傳時候：2024-05-15 08:39:57     觀看：838

　　HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合耦合器是由ELECTRO-PHOTONICS公司制造的。這款耦合器具有廣泛的應用和突出的特點，例如可以用于信號分割/組合，展現出優秀的寬帶射頻性能，適用于放大器電路，具有低插入損耗、高功率處理能力，以及微波混頻等功能。

HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合耦合器Electro-Photonics

　　具有尺寸的方面，HW-R3N-1.81-S交織合體設施設備有清晰的輸出功率、頻繁 比率、加上損耗、平穩量和屏蔽度等規格。其頻繁 比率在600-1300MHz之中，加上損耗為0.2dB，平穩量度為±0.4dB，屏蔽度為27dB。顯然，該合體器的相位平穩量為±4dB，且在封口平均溫度為55°C時的VSWR(電壓降駐波比)為1.2。

 POWER
  (W)		PART NUMBERFREQUENCYINSERTION LOSS
   (MHz)         (dB)		AMPLITUDE
BALANCE
(dB)		ISOLATION
(dB)		VSWRPHASE BALANCE
   500*HW-R3N-1.81-S600-1300       0.2±0.427  1.2±4

ELECTRO-PHOTONICS擁有的25年的原因頻射元器件封裝的設計與制造出臨床經驗，護膚品適用于混后和定向招生耦合電路器、功分器、濾波器、檢驗板、防護器、橢圓形器等護膚品。

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