亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

UMS微波加熱CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

單晶體管以裸晶片的形式打造，所需外部結構一致電線的功能寬裕切實發揮其發展空間。而是，恰是此種的設計亮點授予了CHK5010-99F充沛的的功能和非常廣泛的應用領域發展空間。通常效果屬于其出眾的的寬帶網絡技能，扶持獨角獸高達12 GHz的激光脈沖和間隔波操作流程。應用場景GaN的技術，該設定可推動高打出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時推動佳效果。雖然，該電子器件享有0.90x0.80x0.1mm的緊湊型suv規格尺寸，縱然在出現異常的區域中也是可以解乏模塊化。不光其優良的耐磨性，CHK5010-99F還合乎RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006準則，狠抓環保節能和安全的。這讓玩家在選購和使用的成品時安怡，而不用說焦慮對區域的不好的應響。然而，CHK5010-99F是一個款值不值得信服的高耐磨性GaN結晶管，兼備多方面的采用和很棒的實用功能。其真讓人需求令人深思的耐磨性和不符合行業中規定使其已成為rf射頻馬力采用的可以信賴選取，為該各個領域走上了新的或許性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

鄭州市立維創展科技信息限制總部授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。