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發部事件:2024-03-18 17:06:51 觀看:722
CREE的CMPA2735030是種據氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波加熱集成型電源電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵想必較,GaN擁有變得成績突出的性能方面;有挺高的穿透場強;挺高的呈現飽和狀態電商漂移成功率和挺高的傳熱彈性系數。與Si和GaAs晶狀體管相對較,GaN HEMT還提供了了最高的瓦數體積和更寬的帶寬的配置。CMPA2735030分為有級電抗配適工作功率調大器設計的一個構想,夠構建以及寬的傳輸速率。

表現
功率電壓降可以達到 50 V
高穿透場強
寬為 5mm x 5mm;QFN 封裝類型
較高溫度度使用的
廣泛應用各個領域
民用建筑型和軍工企業用脈沖造成的統計最大功率拖動器
食品樣式
簡述:30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 額定功率調大器
低些速率(MHz):2700
較高頻次(MHz):3500
極高值內容輸出耗油率(W):30
增益值值(dB:)30.0
運轉錯誤率(%):45
穩定相電壓(V):50
組織形式:離散裸處理芯片
封裝類型類:Die
的技術:GaN-on-SiC
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