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CREE的CMPA1D1E030D是款增碳硅單晶體上利用氮化鎵 (GaN) 高光學變遷率結晶管 (HEMT) 的單面微波射頻集成系統控制電路 (MMIC)；CMPA1D1E030D應用0.25μm柵極尺碼工序技能。與硅相對來說較，GaN-on-SiC體現了十分不錯的耐熱性；砷化鎵或硅基氮化鎵；帶有更為重要一些的擊穿電壓場強；更為重要一些的達到飽和狀態光電漂移的效率和更為重要一些的導熱性常數。

特點

27 dB 小預警收獲值

30 W 關鍵 PSAT

的工作電流值高至 40 V

高電壓擊穿場強

高溫度控制

選用范疇

通信衛星通訊設備下行路由協議

新產品標準

描敘：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 公率擴大器

很低頻繁 (MHz)：13750

較高幀率(MHz)：14500

高達值工作輸出額定功率(W)：30

增益值值(dB)：26.0

工作效率（％）：25

上班線電壓(V)：40

狀態：MMIC 裸片

二極管封裝類目：Die

新技術：GaN-on-SiC

鄭州市立維創展科技信息局限機構品牌授權經售CREE微波通信電子器件，倘若要求購CREE新產品，請選擇一側人工服務搞好關系企業！！！