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CREE的CMPA1D1E025F是款炭化硅單晶體上結合氮化鎵 (GaN) 高手機轉至率晶胞管 (HEMT) 的單支微波通信一體化用電線路 (MMIC)；選則 0.25 μm 柵極尺寸規格建設工藝設備。與硅比起較，GaN-on-SiC兼具更為非常好的能力；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋高一些的熱擊穿場強；高一些的呈現飽和狀態電子元器件漂移質量和高一些的導電彈性系數。CMPA1D1E025 選擇 10 接地線；25 mm x 9.9 mm；輕金屬/瓷磚卡箍盤封裝才能進行最很理想的電子商務機械設備和熱動態平衡性。

有特點

24 dB 小數字信號收獲值

40 W 典例電磁電磁波 PSAT

載荷系數端電壓高至 40 V

OQPSK 下 20 W 非線性額定功率

A/B類高增益值；有的效率率 50 Ω MMIC Ku 頻率段高馬力放小器

使用行業

中國軍工用和商業 Ku 股票波段預警雷達

物料品種

文章的話：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 股票波段 GaN MMIC 瓦數增加器

低點頻繁(MHz)：13500

至高速度(MHz)：14500

最大值轉換耗油率(W)：25

收獲值(dB)：26.0

上班工作難度（％）：16

額定功率相電壓(V)：40

分類：封裝形式的MMIC

二極管封裝類型：蝶閥法蘭盤

枝術：GaN-on-SiC

佛山市立維創展科學技術有效子公司受權生產商CREE徽波元器件封裝，假如都要購CREE物品，請鼠標單擊左邊人工服務關聯我們的！！！