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CMPA1C1D060D是款氧化硅多晶硅上要根據氮化鎵 (GaN) 高自動化滲透率晶狀體管 (HEMT) 的單面紅外光一體化線路 (MMIC)；CMPA1C1D060D技術應用0.25 μm柵極尺寸大小設計制作加工工藝。與硅不同之處較，GaN-on-SiC有著更加的優秀的的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；收錄更多的損壞場強；更多的飽合電子器件漂移使用率和更多的導電指數公式。

特色

擁有 26 dB 小數據收獲值

60 W 主要 PSAT

特殊電流值高至 40 V

高電壓擊穿場強

溫度過高度控住

技術應用研究方向

PTP 無線網通訊網絡

衛星影像無線通訊上行帶寬外鏈

廠品要求

描術：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 耗油率縮放器

最低值規律(MHz)：12700

最好頻點(MHz)：13250

至高值打印輸出額定功率(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

轉化率（％）：30

固定直流電壓(V)：40

傳統模式：MMIC 裸片

封口行業類別：Die

系統使用：GaN-on-SiC