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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

的特點

7.9–8.4GHz工作任務

80WPOUT（經典值）

>13dB效率增益值值

33%其最典型的波形PAE

50Ω的內部配

<0.1dB電率降低了

應運這個領域

北斗衛星通信

地面的寬帶網絡

產品型號規格

描敘：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；填寫/導出混搭GaNHEMT

低點次數(MHz)：7900

極高平率(MHz)：8400

最高的值輸入瓦數(W)：50

增益控制值(dB)：13.0

轉化率（％）：33

額定負載電壓電流(V)：40

的方式：打包封裝的方式分立多晶體管

芯片封裝形態專業類別：法蘭盤盤

技術操作操作：GaN-on-SiC