制造行業訊息
正式發布日子:2024-01-16 17:16:48 網頁瀏覽:893
CGHV50200F是種幫忙設計制作用在高效化氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇;4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

表現形式
4.4–5.0GHz操作
180W長見PSAT
11.5dB常有耗油率增益值值
48%普通供電效應
50Ω內層匹配
app前沿技術
衛星信號通信設備
撼動視角——BLOS
過流層光學儀器散射數據通訊
廠品規格型號
說明:200瓦;4400-5000MHz;50Ω搜索/傷害兼容性測試;氮化鎵高電子為了滿足電子時代發展的需求,移動率氯化鈉晶體管
至少次數(MHz):4400
更高頻繁 (MHz):5000
至高值所在工作電壓(W):200
增益控制值(dB):11.5
上班使用率(%):33
額定負載電壓值(V):40
狀態:封裝行駛狀態分立尖晶石管
封裝形式方式:活套法蘭盤
技術用途:GaN-on-SiC