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CREE的CGHV96130F是氧化硅(SiC)基本材料上的氮化鎵(GaN)高轉遷率晶狀體管(HEMT)與其他的科技不同于，CGHV96130F室內適用于(IM)FET擁有出彩的的效率追加的效率。與砷化鎵對比，GaN具備有好的效果；包含高的穿透場強；高的飽和電子廠漂移轉速和高的熱導率。與GaAs多晶體管相比之下，GaN HEMT還包括最高的輸出功率孔隙率和更寬的上行帶寬。CGHV96130F使用的五金/瓷磚卡箍打包封裝就可以控制佳的電器和熱穩定的性。

特殊性

166WPOUT（其最典型的值）

7.5dB工作電壓收獲值

42%典例PAE

50Ω里面自適應

<0.3dB工作效率變低

廠品尺寸

文章的話：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；關鍵用作Xk線聲納應運的放入/打出兼容GaNHEMT

超小頻繁(MHz)：8400

主要規律(MHz)：9600

最低值輸出的輸出最大功率(W)：130

使用率（％）：42

電機額定功率電阻值(V)：40