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Electro-Photonics的Q3XG-1850R耦合電路用具備SMT能力，相對于意見和建議的線路圖板布局合理做全方位推廣調正。備選成長型型二極管封裝，享有低嵌入耗損率和高工作功率能力。Q3XG-1850R比調耦合電路器一般于窄帶和寬帶網工作功率調大器APP領域行業。

Q3XG-1850R交叉耦合器一概磁體的，適宜用在MRI安全使用上安全使用。Dragon?解耦器在美國設計方案加工制造，需求RoHS和REACH規格。

Q3XG-1850R規范表面層工作是浸錫。能按照其必須要 出具化學式鍍鎳浸金(ENIG)。

本質特征

1500–2200MHz

低耗費

高隔離霜度

嚴謹的幅值動平衡機性

90度正交

外表貼裝技術設備

CTE適用

DCS、PCS、LTE概率段

卷帶選澤

估評板722-0006-03-E01

產品規格

尺寸：0.560x0.350寸大

頻率：1500-2200MHz

額定耗油率耗油率：165瓦

導入損耗費：0.10dB

大幅度動平衡機性：±.2

隔離度：28dB

駐波比：1.15

相位不平衡量性：±2