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發布信息準確時間:2023-09-13 16:58:47 打開網頁:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
特色
填寫兼容性測試
較為常見的脈沖激光接連波性能方面;960–1215MHz;50V;編織成單層;128μs電磁橫向;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的轉換馬力;工作的辦事效率=68%;增加收益值=17dB
無鉛并達到RoHS規定
APP科技領域
預警雷達擴大器
CREE(科銳)籌建于1987年,CREE科銳兼具30這些年的光纖寬帶GAP原的材料料和不斷創新成品,CREE科銳是一種個全部的制定戰略合作盟友,按照頻射的意愿,CREE科銳為行行業技術的設備智領的機子的設備提供數據更強的額定功率和更低的性能耗用。CREE科銳由最現在開始的GaN基本的材質材料LED物料的技術最前沿全全球,到紅外光微波射頻與mm波處理器物料,CREE科銳于2017年溶合出微波rf射頻rf射頻品牌形象Wolfspeed,以寬帶網、大公率增加器產品的為上海特色。
東莞 市立維創展科學技術是CREE的代理商商,占有CREE徽波配件的優勢供應渠道方式,并常年存儲期貨,僅作國家餐飲市場訴求。
信息掌握CREE微波通信射頻微波通信請彈窗://takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |