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?GTVA12600統計變小器CREE

發布了時段:2023-06-08 16:49:38     手機瀏覽:1189

CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。

結構特征

進入支持

普通的單輸入脈沖CW性(AB類);1200MHz;50伏;300μs智能頻帶寬度;10%pwm占空比;輸送電率(P3dB)=600W;引流術成功率=65%;收獲值=18dB

是可以在單電脈沖學習環境下,以600W效果額定功率承載著10:1負債失諧(幾乎所有相位差):300μs智能次數;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA

名模模式化1C類(不同AnSI/ESDA/JEDECJS-001)

無鉛并達到RoHS法律規定法律規定

使用

雷達探測變小器

CREE(科銳)組建于1987年,CREE科銳必備30年的網絡帶寬GAP原料料和去新產品上市的,CREE科銳是一個個全部的來設計企業合作火伴,具有頻射的要求,CREE科銳為行在業內技藝一流的機子專用設備出具更強的輸出功率和更低的功能性衰減。CREE科銳由最起的GaN基本材料LED好新產品科技技術型全游戲世界,到紅外光微波射頻與mm波心片好新產品,CREE科銳于2017年區分出徽波頻射品牌形象Wolfspeed,以寬帶網絡、大電機功率調小器車輛為的特色。

南京市立維創展信息技術是CREE的加盟商商,成為CREE紅外光電子器件資源優勢供應推廣渠道,并常年倉庫現貨黃金,以供國家領域使用需求。

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GTVA12600.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA126001FC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Earless

GTVA126001EC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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