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?SemiGen肖特基二級管

發部日子:2023-05-29 17:00:04     看:1056

SemiGen的硅肖特基電感努力于40GHz三歲能力的APP所需設計構思。特別的工作能力完成很多合金金屬質材方案范文為低、中合高隔絕能力APP提拱能力主要優勢。從而結杲是兼具嚴要求把控濾波電容的低電容場效應管,夠保持最快能力。SemiGen肖特基場效應管低洽談耗損和成績突出的TSS因而使電感成了了工作中頻段從S股票波段到Kak線的監測器/混頻器水平選用舉例說明解調器、低工作效率限定器和運行速度度開關按鈕的最好的取舍。

基本特征:

多結加工集成電路芯片

低1/F空調噪聲

總結ppt電容(電容器)

應該用:

符合于混頻器、發現器、倍頻器和解協議調器。

SemiGen是國外是一家晶圓級微波射頻功率電子器件知名派加工廠商,從晶圓到芯片封裝功率電子器件, 類目多樣化,從航天工程級MIL-PRF 38534到警用MIL-PRF 19500、750和883,SemiGen強院于帶來桌越的產品質量和可以信賴性。

南京市立維創展科技發展比較有限品牌,管理權限代理加盟于中華區域性售銷SemiGen產品的,并出具業務顧問和售后維修點技術工藝支持軟件業務。

詳情頁了解一下SemiGen請打開網頁://takasago.net.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

0.250

0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

3.0

0.400

0.14

20.0

-52

SMB201

3.0

0.400

0.20

20.0

-50

SMB202

3.0

0.400

0.12

20.0

-48

SMB203

3.0

0.400

0.14

20.0

-45

SMB204

4.0

0.425

0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

SMB206

4.0

0.425

0.12

20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

0.450

0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

-48

SMB211

5.0

0.450

0.25

20.0

-45

SMB212

5.0

0.475

0.21

20.0

-52

SMB213

5.0

0.475

0.15

20.0

-50

SMB214

5.0

0.475

0.12

20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

-52

SHB301

5.0

0.500

0.20

25.0

-50

SHB302

5.0

0.500

0.12

25.0

-48

SHB303

5.0

0.500

0.14

25.0

-45

SHB304

5.0

0.525

0.15

25

-52

SHB305

5.0

0.525

0.15

25.0

-50

SHB306

5.0

0.525

0.12

25.0

-48

SHB307

5.0

0.525

0.14

25.0

-45

SHB308

6.0

0.550

0.14

25.0

-52

SHB309

6.0

0.550

0.15

25.0

-50

SHB310

6.0

0.550

0.14

25.0

-48

SHB311

6.0

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25.0

-45

SHB312

6.0

0.600

0.21

25.0

-48

SHB313

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0.15

25.0

-45

SHB314

6.0

0.600

0.12

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-42

SHB315

6.0

0.600

0.15

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-40


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