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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

既定，它們積極的重大成就引發無源GaN混頻器裝修設計制作在填寫三階交調截點（IIP3）與本地人震蕩器（LO）推動器的比例地方不超各種砷化鎵（GaAs）無源混頻器裝修設計制作 - a產品條件個性MMIC也在創造出直線吸收率。從S頻譜到K頻譜（2 GHz到19 GHz），這樣的新型產品無源GaN混頻器展示出的IIP3數據遠要低于30 dBm，LO推動電平約為20 dBm，直線吸收率要低于10 dB。

如若您需要購買該產品，請隨時聯系我們，我們將竭誠為您服務！！！