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CGH55030F1/P1 C中波段氮化鎵 (GaN) 高電子廠轉入率尖晶石管CREE

正式發布精力:2022-09-27 16:45:13     搜索:875

Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門針對為優質率而設計的氮化鎵(GaN)高手機遷出率尖晶石管(HEMT);高增加收益和帶寬寬功能;引致CGH55030F1/CGH55030P1比較可以5.5–5.8-GHzWiMAX和BWA電率調大器廣泛應用。CGH55030F1/CGH55030P1晶狀體管配備擰緊式卡箍和焊結式藥丸二極管封裝。通過合適的的其他適應調節器;CGH55030F1/CGH55030P1也適代替于4.9–5.5-GHz應該用。

共同點

300MHz瞬時網格上行速率

30W基線馬力的性能

10dB小信號燈增加收益值

4WPAVE<2.0%EVM

瞬時電率為4W時效性比率為25%

技術應用

WiMAX提高接802.16-2004OFDM運用

多載波DOCSIS廣泛應用

CREE(科銳)創立于1987年,CREE科銳具備著30數年的移動寬帶GAP原料料和全新車輛,CREE科銳是一種個齊全的設計制作企業合作夥伴,不符合頻射的供給,CREE科銳為行業內人士技術應用遙遙領先的機器設施設施作為更強的最大功率和更低的能力損失。CREE科銳由最開始的GaN基面材料LED的護膚品工藝最前沿全中國,到微波加熱頻射與公分波處理器的護膚品,CREE科銳于2017年拆分出徽波微波射頻產品Wolfspeed,以光纖寬帶、大電率放縮器產品設備為特色文化。

上海市立維創展信息技術是CREE的零售商商,擁有的CREE徽波電子元件優勢要貨公司,并長期性貨存期貨,以期我國的餐飲市場要求。

祥情了解CREE頻射微波射頻請彈框://takasago.net.cn/brand/35.html

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Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGH55030F1

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

10 dB

25%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange

CGH55030P1

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

10 dB

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28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill


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