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UMS的CHA7114-99F是對X頻譜來設計選用的片式兩級GaAs高輸出放縮器。CHA7114-99F常用UMS0.25μm效率pHEMT方法方法，涵蓋會根據基本的材質材料與氧氣橋的通孔。

為了能能seo樂高拼裝環節：

電子器件腰背為頻射和直流電源等電位連接

焊層和背脊鑲金，以和共晶壓焊法和熱壓焊方法新工藝兼容。

具體功能

0.25μm瓦數pHEMT枝術加工工藝

8.5–11.5GHz辦公頻段

4dBcp時8W轉換功效

高PAE:4dBcp時>40%

20dB標稱增加收益值

靜態式的偏置點：Vd=8V，Id=2A

IC芯片規格尺寸：4.41x3.31x0.07mm

UMS紅外光充當拉丁美洲mm毫米波集成電路芯片的代表性企業品牌，在西班牙和西班牙設立有加工業基底。UMS在國際區域內精致技術APP市場上擁有無需取代的社會價值。UMS帶來了源于ASIC或分類目錄物品的綜合管理參考價格，重要體系結構集團內部的的III-V水平，并帶來逐步的合約安全服務，使買家就可以同時撰寫自己的的貨品處理策劃方案。從整流電到100GHz的UMS分類目錄設備均因為GaAs、Gan、SiGe技術水平，其中包括可以達到200W的額定功率圖像電壓調大器、比調網絡信號功能模塊、低好低頻噪音圖像電壓調大器和完整版的傳輸器系統化。UMS護膚品以磨具的類型供應，但正常以多電源芯片信息模塊的的類型封裝形式。

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