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C中波段氮化鎵 HEMT圖像電壓放大器CGHV1F025 CREE

發布新聞期限:2022-08-17 16:53:17     查看:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S經營在40伏鐵路交通道岔上,二極管封裝在3mmx4mm;界面安轉;雙扁型無絞線(DFN)芯片封裝。減小了工率;CGHV1F025都可以從40V至20VVDD直流電壓下啟用;實現高收獲和生產率率。

特性

更是高達15GHz的調節

25W關鍵讀取熱效率

9.4GHz時11dB增加收益值

8.9–9.6GHz的技木適用三極管

應用軟件

L;S;C;X 和Ku頻譜變小器

CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳提供30多年以的聯通寬帶GAP原料料和科技創新貨品,CREE科銳是一種個完正的設汁媒體合作粉絲,具有rf射頻的所需,CREE科銳為行在業內枝術當先的機設備設備提高更強的馬力和更低的功能表消耗。CREE科銳由最逐漸的GaN基本材料LED設備技藝進取全時代,到紅外光微波射頻與分米波處理芯片設備,CREE科銳于2017年隔離出微波通信rf射頻國際品牌Wolfspeed,以聯通寬帶、大公率變小器護膚品為上海特色。

佛山市立維創展科技發展是CREE的供應商商,獲得CREE微波通信元件主要優勢采購推廣方式,并長期的庫存盤點期貨,以作我們市揚市場需求。

祥情介紹CREE頻射紅外光請點擊率://takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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