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C頻譜CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT電源芯片CREE

更新周期:2022-07-20 16:36:43     閱覽:889

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

的特點

17dB主要表現。10GHz時的小數據收獲值

60%具代表性值。10GHz時的PAE

6W典型的Psat

40伏調節

高至18GHz的把控

軟件

數據通訊衛星數據通訊

PTP通迅聯系

水域汽車雷達

快艇預警雷達

港灣船艇交行服務培訓

網絡帶寬增加器

高率圖像放大儀

CREE.png

CREE(科銳)建立于1987年,CREE科銳提供30許多年的寬帶網GAP原村料料和科技創新商品,CREE科銳是一種個完美的定制戰略加盟伙伴們,滿足頻射的使用需求,CREE科銳為行業內人士技術性專業的電腦裝備供給更強的工作效率和更低的功用消耗的資金。CREE科銳由最起的GaN材料的特性LED廠品技術應用先進全這個世界,到微波微波射頻微波射頻與mm毫米波電源芯片廠品,CREE科銳于2017年分離出來出微波通信頻射產品品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大效率放小器產品的為一大特色。

長沙市立維創展創新科技是CREE的代理商商,存在CREE微波加熱器材勝機采購方式,并短期貨源外盤,以期在我國市場上使用需求。

內容詳細了解CREE頻射徽波請點://takasago.net.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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