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 HMC637BPM5E不是款砷化鎵(GaAs)、單整合集成運放芯片紅外光整合集成運放(MMIC)、假晶高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉移率硫化鋅管(pHEMT)、級聯分布范圍之內式熱效率變小器，在普通 任務時可保證 自偏置且具備著IDQ可以偏置把控和增加收益調準。該變小器的任務頻率范圍之內為DC至6 GHz，出示15 dB小數字信號增加收益、27.5 dBm打出熱效率（1 dB增加收益擠壓）、40 dBm具代表性打出IP3和4 dB低頻噪音系數，主要采用VDD 12 V電源模塊電阻值時工作頻率為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz比率內的收獲溝壑度（舉例值±0.5 dB時）尤其出眾的，所以多的近義詞適美國軍事、月球基地和測試軟件機械設備用。HMC637BPM5E還還具有內自動匹配至50 Ω的傳輸/傳輸(I/O)，通過達到RoHS規定的5 mm × 5 mm LFCSP預制混凝土空腔封口，可與高存儲容量表貼方法(SMT)配備機械設備兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2