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Teledyne防務微電子GaN寬帶網調小器

公布的精力：2022-06-15 16:38:22 瀏覽記錄：1385

氮化鎵(GaN)電率半導體設備技術選用為資料rf射頻/微波射頻功效放縮器性能指標決定了巨大的重大貢獻。使用以減少元集成電路芯片的附生集成電路芯片，使用更短的柵極大小和極高的交流電壓工作頻率，GaN晶狀體管具備了更加高的的輸出輸出、更寬的上行速率和最快的速度的直流變壓器交流電源微波射頻成功率。

時間推移以GaN才質為代表人的三、代半導體材料集成電路芯片的創建，GaN HEMT根據其寬頻寬隙而受人特別關注，高熱傳導性、高熱擊穿場強和高閥值電子設備轉換速度。基本概念GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。

東莞市立維創展科學技術是Teledyne防務電子器件的經售商，提高Teledyne防務微電子產品含蓋LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防務電子器材護膚品線扶持寬頻段、窄帶、電脈沖調大器，速度1MHz~220GHz，馬力mW~10kW，優勢可言途徑帶來了Teledyne防務智能購貨，迎接在線咨詢。

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Teledyne防務電子.png

Model	Frequency Range MHz	Gain dB Typ.	Noise Figure dB Typ.	P1dB dBm Typ.	P4dB dBm Typ.	P4dB Watts Typ.	IP3/IP2/Pout dBm Typ.	Preamp D.C. Volts Nom	Preamp D.C. mA Max.	D.C. Volt Nom	Amps Q/@P3dB Typ.
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS
AVP598	50-700	16.5	2.5	38	43.2	20.9	50/64/40	N/A	N/A	28	0.85/1.5
AVP514	50-700	40	3.7*	38	43.2	20.9	50/62/40	12	230	28	1.2/2.3
AVP2515	600-2600	17	4.5	35	41	12.6	48/50/37	N/A	N/A	28	0.85/1.50
AVP2524	600-2600	41	4.5	35	41	12.6	47/48/37	12	185	28	1.25/1.9
AVP2030	500-2400	16	3.7	39	44	25.1	53/65/40	N/A	N/A	28	0.85/2.6
AVP2034	500-2400	40	3.7	39	44	25.1	52/62/40	12	200	28	1.2/3.2
AVP2050	900-2000	14	4	42	48	63.1	55/68/43	N/A	N/A	28	1.6/5.50
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS
A2CP2595	20-500	24	3	34	36.2	4.2	45/58/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2595	500-2500	24	3	32.5	34	2.5	40/56/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2596	20-500	24	4.8	36.5	37.5	5.6	8/52/23	15	335	28	0.53/0.70
A2CP2596	500-2500	24	4.3	34.5	37.5	5.6	42/48/23	15	335	28	0.53/0.70

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