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QORVO分立結晶管GAAS PHEMT

發布消息周期：2022-02-08 17:14:25     手機瀏覽：1613

Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別適合平衡LNA設計。

重要特殊性

非常低噪聲污染指數公式——低至0.15dBNF（最高值）

提拱裸片或封裝類型模式

應用前沿技術

通信網基站天線

飲水機聯系

一對一(PtP)無線網絡電

成都 市立維創展科技發展是QORVO的經售商，重要能提供QORVO額定功率增加器，   IC和裸存儲芯片，立維創展持有穩定性的供貨方式，收費優越，并大批配備外盤庫存量，感謝了解和咨詢。

詳情介紹了解一下Qorvo請點擊：http : //takasago.net.cn/public/brand/4.html

 波導晶體探測器.JPG

Part #

Frequency Min
MHz

Frequency Max
MHz

Type

Gain
dB

OP1dB
dBm

Psat
dBm

NF
dB

PAE
%

Vd
V

Idq
mA

QPD2018D

DC

20,000


14

22

22

1

55

8

29

QPD2025D

DC

20,000


14

24

24

0.9

58

8

40

QPD2040D

DC

20,000


13

26

26

1.1

55

8

65

QPD2060D

DC

20,000


12

28

28

1.4

55

8

97

QPD2080D

DC

20,000


11.5

29.5

29.5

1

56

8

130

QPD2120D

DC

20,000


11

31

31

1

57

8

194

QPD2160D

DC

20,000


10.4

32.5

32.5

1

63

8

258

TQP3M6005

1,700

2,000


17.9

21.6


0.36


4.5

50


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